在陶瓷拋光機(jī)進(jìn)行CMP過(guò)程中顆粒與拋光片相互作用；集成電線si襯底，介電層，金屬層等，它們的拋光機(jī)理目前還沒(méi)均未得到清楚的認(rèn)識(shí)，在沒(méi)有氧化劑條件下或者研磨顆粒條件下的拋光液中進(jìn)行試驗(yàn)都表明不可能得到要求的拋光去除量。CMP過(guò)程中的機(jī)械作用通過(guò)在兩種典型的接觸模式下存在，即流體動(dòng)力學(xué)模型和固體接觸模型，當(dāng)拋光表面承受壓力較小，相對(duì)速度較大時(shí)，在拋光墊與拋光片表面間形成一層薄流體膜，拋光液中固體顆粒大小比流體膜厚度小得多，大部分顆粒對(duì)材料去除沒(méi)有貢獻(xiàn)，材料去除量主要以懸浮在拋光液中顆粒的三體研磨和拋光液中化學(xué)腐蝕作用，壓力較大，相對(duì)速度較小時(shí)，被拋光表面片與拋光墊表面相互接觸，現(xiàn)體和三體磨損同時(shí)存在。在在兩體磨損中嵌入拋光墊表面的顆粒與犁削效應(yīng)實(shí)現(xiàn)材料去除，在拋光墊與拋光表面未接觸區(qū)的凹陷處的顆粒不會(huì)嵌入拋光墊，沒(méi)有起到作用以致三體磨損。相對(duì)拋光片/拋光墊接觸區(qū)民生的兩體磨損而言，三體磨損材料的去除量可以忽略。

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